前段時間，一汽紅旗宣布今年他們將有2款SiC車型上市，最近他們又公布了在碳化硅領域的新突破：
●完成主驅碳化硅模塊試制，采用2in1塑封，寄生電感≤6.5nH，輸出電流達550A；
●采用全國產1200V SiC MOSFET，比導通電阻3.15mΩ·cm2，導通電流達120A。
那么，一汽紅旗采用的是哪家國產SiC MOSFET？未來有哪些上車規劃？
紅旗完成主驅SiC模塊試制
采用國產SiC MOSFET
4月3日，“紅旗研發新視界”官微發文稱，他們完成了首款全國產電驅用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件。
據紅旗公司介紹，這款主驅碳化硅模塊采用了國產SiC MOSFET，通過應用高密度高可靠元胞結構、芯片電流增強技術、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細結構加工工藝等，該芯片的比導通電阻達到3.15mΩ·cm2，導通電流達到120A，技術指標達到國際先進水平。
碳化硅模塊方面，紅旗表示，他們采用了行業領先的三端子母排疊層結構、高可靠銅線互聯技術與高散熱橢圓PinFin散熱水道，并且配合大尺寸環氧樹脂轉模塑封與高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝，使得模塊的寄生電感≤6.5nH，模塊持續工作結溫175℃，輸出電流有效值達到550A。
電驅方面，紅旗汽車自主研發了國際領先的紅旗HSM高效電驅系統，該系統獨創的超輕高磁密碳纖維轉子、超高頻高功率SiC模塊、主被動噪音抑制等技術，實現引領全球的95.5%系統效率和“零”感知噪音。
據了解，一汽紅旗2023年將有2款SiC車型上市，分別為轎車E001、SUV E202。
一汽紅旗表示，國內電驅用碳化硅功率半導體仍然掌握在少數國外企業手中，為實現碳化硅技術“黑轉白”，他們以央企合作的模式，圍繞新結構、新工藝、新材料方面開展自主技術攻關，真正實現了襯底、外延、芯片、封裝與模塊試制等關鍵環節全流程國產化，實現了自主可控。
供應商中電科55所
SiC MOS已搭載100萬臺車
據一汽紅旗介紹，他們的碳化硅模塊是由紅旗研發總院新能源開發院功率電子開發部以及中電科55所聯合開發。
實際上，中電科集團曾于3月21日在官網上提到，他們的科研人員正在對照新能源汽車龍頭企業提出的電驅用大電流碳化硅MOSFET芯片需求，進行高電流密度碳化硅器件設計、高穩定性晶圓生產控制等關鍵技術攻關。
除了主驅外，在此之前，中電科55所碳化硅MOSFET已經被其他國內車企所采用，據悉目前的產品裝車量達百萬臺。
今年3月，中國電科首席專家柏松在接受新華日報采訪時表示，他們已經在碳化硅領域建立完善了具有自主知識產權的碳化硅JBS二極管、MOSFET等芯片工藝，形成了650V-6500V系列產品。而且，他們團隊于2022年成功推出第二代碳化硅MOSFET產品，與第一代產品相比，芯片面積減少30%，導通損耗降低15%，電能轉換效率顯著提。
來源：行家說三代半